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BGO晶體
鍺酸鉍（Bi4Ge3O12簡稱BGO）是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機氧化物晶體，它不溶于水，在高能粒子或高能射線（x-射線、γ-射線）激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長的綠色熒光。BGO晶體具有強阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點，所以是一種優(yōu)良的閃爍體，廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：a=10.518? 純度：>99.99％ 密度：7.12g/cm3 硬度：5( mohs) 熔點：1050 ℃ 透過范圍：350~5500nm 電光系數(shù) ： r41=1.03x10-12m/V 折射率： 2.098@ 632.8nm 激發(fā)光譜： 305nm 臨界能量： 10.5Mev 能量分辨率： 20%511 keV @ 生長方法：提拉法 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：（100） 晶向公差：±0.5° 內(nèi)常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm 拋光情況：單拋、雙拋 拋光面粗糙度：Ra<5A 注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
