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BN晶體
六方氮化硼(h-BN)是理想的二維材料。h-BN在1566 cm-1處呈強(qiáng)拉曼峰，F(xiàn)WHM小于5cm-1。它顯示5.9 eV帶隙，被認(rèn)為是寬帶帶隙絕緣體。應(yīng)用于半導(dǎo)體電子器件、光學(xué)器件，和絕緣導(dǎo)熱襯底的研究。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 | 氮化硼（BN）晶體 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 純度：>99.999％ 顏色：白色或透明 電導(dǎo)：絕緣體 禁帶寬度：≈5.9eV 生長(zhǎng)方法： CVD法人工合成 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)尺寸每片都是0.6-1mm不規(guī)則片。 注意事項(xiàng) ：不要接觸水和空氣不要長(zhǎng)時(shí)間的暴露在空氣中，盡量戴手套在手套箱里操作 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 100級(jí)超凈袋、盒子真空包裝。 |
