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CdS晶體
CdS晶體II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 硫化鎘(CdS)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 晶格常數(shù)：a=4.1367 c=6.7161 密度：4.821g/cm3 熔點(diǎn)：1287℃ 折射率：no=1.708 ne=1.723 導(dǎo)熱系數(shù)：2.7W /m.k @ 300K 透過波長(zhǎng)：2.5 ~ 15 (>71%)um 介電常數(shù)：8.9 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：(0001) 晶向公差：±1° 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm 拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋 拋光面粗糙度：15A 注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
