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Ce:Lu2SiO5晶體
Ce:Lu2SiO5晶體閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測設(shè)備中，比如機(jī)場，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | Ce:Lu2SiO5晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 晶格常數(shù)：a=14.254b=10.241 c=6.641 γ=122.0 純度：>99.99％ 密度：7.4g/cm3 硬度：5.8( mohs) 熔點(diǎn)：2047℃ 熱膨脹：19.5 10-6/K 折射率：1.82 發(fā)射波長：418nm 生長方法：布里奇曼 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：（001） 摻Ce摩爾比0.175% 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm 拋光情況：單拋、雙拋 拋光面粗糙度：Ra<15A |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封 |
