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CdTe晶體

碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測(cè),紅外光學(xué),外延基片,蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。

技術(shù)資料

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱(chēng)

碲化鎘(CdTe)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):立方晶系

晶格常數(shù):a = 6.483?

密度:5.851g/cm3

熔點(diǎn):1047℃

熱導(dǎo)率:6.3W /m.k at 300K

熱膨脹系數(shù):5.9x10-6/K

透過(guò)波長(zhǎng):0.85 ~ 29.9μm

折射率:2.65@10μm  

介電常數(shù):11@1MHZ

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:(100)、(110)、(111

晶向公差:±1°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm

拋光情況:?jiǎn)螔仭㈦p拋

拋光面粗糙度:<15A

注:也可提供多晶的,尺寸可按照客戶要求加工,請(qǐng)發(fā)郵件確定信息。

晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝