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GaSb晶體
GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因?yàn)镚aSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器，GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 銻化鎵(GaSb)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：6.095? 硬度（Mohs）4.5 密度：5.619 g/cm3 熔點(diǎn)：710℃ 介電常數(shù)：15.7 熱膨脹系數(shù)：6.1×10-6/oK 熱導(dǎo)率：270 mW / cm.k at 300K 摻雜類型：N型摻Te；P型不摻雜 載流子濃度：1-2x1017 1-5x1016 1-5x1018 2-6x1017 1-5x1016 位錯(cuò)密度：<103 cm-2 生長方法：LEC |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： （100）、（110）、（111） 常規(guī)尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm 拋光情況：單拋 表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
