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GaAs晶體
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 砷化鎵(GaAs)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：a=5.6534? 導(dǎo)電類型：N型摻Si；N型摻Te；不摻雜；P型摻Ga 熔點：1237°C 禁帶寬度:1.4電子伏 介電常數(shù)：13.1 位錯密度：<5x103cm^2 等 遷移率：(3500-3600)cm2/vs 等 生長方法:VGF生產(chǎn)方法 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： <100>、<110>、<111> 常規(guī)尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm； 拋光情況：單拋、雙拋 表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室100級超凈袋 |
