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技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 砷化銦（InAs）晶體 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：a=5.4505 ? 摻雜類型：不摻雜 導(dǎo)電類型：N 載流子濃度：2 ~ 5E16 / cm3 遷移率：>18500cm2/V.S 生長方法：CZ |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：<100> <111> 常規(guī)尺寸：2"x0.5mm 10x10x0.5mm 拋光情況：單拋 雙拋 表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。 |
