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MoTe2晶體

MoTe2晶體應(yīng)用于半導(dǎo)體電子器件、光學(xué)器件等研究。

技術(shù)資料

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

MoTe2二碲化鉬

技術(shù)參數(shù)

類型:CVD法人工合

成純度:>99.99%

外觀:黑色

電導(dǎo):半導(dǎo)體

帶隙:塊體直接帶隙 0.8 eV,單層直接帶隙 1.24 eV

常規(guī)尺寸:~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

晶體結(jié)構(gòu):六方晶系

生長方法:化學(xué)氣相傳輸

晶體常數(shù):a=b=3.83?   c=13.96?  α=β=90°  γ=120°

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝