瀏覽次數(shù)：181
MgO:LiNbO3晶片
純同成份鈮酸鋰晶體的缺點(diǎn)是抗激光損傷闕值很低，這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當(dāng)摻入5mol%MgO后，所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數(shù)量級，極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收邊紫移至310mm，OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 光學(xué)級摻鎂鈮酸鋰（MgO:LiNbO3)晶片 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 晶體結(jié)構(gòu)：三方晶系 晶格常數(shù)：a=5.147? c=13.856? 密度：4.7g/cm3 熔點(diǎn)：1253℃ 生長方法：提拉法 |
| 產(chǎn)品規(guī)格： | 常規(guī)晶向：Z cut 晶向公差：±0.5° 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm 拋光情況：單拋、雙拋、細(xì)磨 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷： | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
