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Nb:SrTiO3晶體基片

摻鈮鈦酸鍶單晶與純鈦酸鍶有相似的結(jié)構(gòu),但有電導性。摻鈮鈦酸鍶的電阻率在0.1 – 0.001 W-cm之間變化隨著摻鈮濃度在0.1-0.001wt%之間不同。傳導的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。普若菲特提供高質(zhì)量低成本的摻鈮鈦酸鍶基片。

技術(shù)資料

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

摻鈮鈦酸鍶(Nb:SrTiO3)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):立方晶系

晶格常數(shù):a=3.905 ?

Nb摻雜:0.7% ,  0.5% ,  0.05%

密度:5.175 g/cm3

熔點:2080°C

硬度:6 mohs

熱膨脹系數(shù):10.4×10-6/℃

在10 GHz的損耗正切:~5×10-4 @ 300K,~3×10-4 @ 77K

化學穩(wěn)定性:不溶于水  

生長方法:熔焰法                           

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向

晶向公差:±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm, 5x5x0.5mm

拋光情況:單拋、雙拋、細磨

拋光面粗糙度:<5A

注:可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向.

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

等離子清洗器專業(yè)清洗1000級超凈室,100級超凈袋封裝