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NdGaO3晶體

NdGaO3是近十年中發(fā)展起來的新型基片,主要用作高溫超導(dǎo)體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很?。▇0.27%),且無結(jié)構(gòu)相變,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。

技術(shù)資料

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):正交晶系

晶格常數(shù):a=5.43 ?  b=5.50 ?  c=7.71?  

密度:7.57 g/cm3

熔點(diǎn):1600 °C

硬度:5.9 Mohs

介電常數(shù):<20在300k

生長方法:提拉法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向: <100>、<001>、<110>、<010>

公差:±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:單拋 、雙拋粗糙度:<5A

注:可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向;

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝