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PMN-PT晶體

PMN-PT晶體是一種新型的壓電材料,具有高壓電常數(shù)、大機(jī)電耦合系數(shù)、高介電常數(shù)、低損耗的特性,尤其其壓電性能比普通的壓電材料要提高10倍左右。此外,PMN-PT晶體還表現(xiàn)出優(yōu)異的非線性光學(xué)性能和熱釋電性能。這種材料的應(yīng)用范圍非常廣泛,不僅可以滿足新一代高性能壓電換能器、非線性光學(xué)器件和光電探測(cè)器件(如紅外探測(cè)器)的核心材料需求,而且在許多領(lǐng)域都能發(fā)揮重要作用。例如,PMN-PT晶體是人類已知的壓電材料中,壓電靈敏度最高的一類材料,其壓電感應(yīng)效率是現(xiàn)有PZT陶瓷的將近3倍。此外,第二代壓電晶體PIN-PMN-PT(鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛)晶體在不犧牲鐵電性能的情況下,其相變溫度 (TR-T)與絞頑場(chǎng) (Ec)得到明顯提升,應(yīng)用在對(duì)環(huán)境溫度較高和功率較大的場(chǎng)合,例如軍用水底聲納以及熱點(diǎn)傳感器等領(lǐng)域。

技術(shù)資料

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

PMN-PT晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):贗立方晶系

晶格常數(shù):a=~4.024 ?

密度:8.1 g/cm3

熔點(diǎn):1280°C

硬度: 3.5mohs

熱膨脹系數(shù)10.4x10-6/K

耦合常數(shù):k33(longitudinal mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88%

壓電系數(shù)d33 :>2000 pC/N

介電常數(shù)e(at 1kHz after poling) :4000 – 6000

介電損耗:tan d<0.9居

里溫度 :135-150°C

生長(zhǎng)方法:坩堝下降法                        

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

晶向公差:  ±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:?jiǎn)螔仭㈦p拋、細(xì)磨

拋光面粗糙度:Ra<15A (單晶內(nèi)部有疇)

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋封裝

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