瀏覽次數(shù)：182
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | Si 單晶基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：a=5.4301 ? 摻雜類型：N型不摻雜、N型摻P、N型摻As、N型摻Sb、P型摻B 硬度（mohs):6.5 電阻率：10000～0.001Ω.cm 超導(dǎo)率（w/m.k):149 密度：2.329（g/cm3） 熔點(diǎn)：1414℃ 熱膨脹系數(shù)（/k):2.6×10-6 生長(zhǎng)方法：CZ和FZ |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向 常規(guī)尺寸：Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm 拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋、細(xì)磨 拋光面粗糙度：< 10A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷. |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
